Снимки: IBM

IBM направи най-малкия чип

Агенция Монитор - понеделник, 05-06-2017 - 13:04

Най-малките съвременни чипове, които се предлагат на пазара, се състоят от транзистори с дължина около 10 нанометра, но IBM разкри плановете си да намали размера им наполовина. За да създаде 5 нанометрови чипове компанията не използва стандартната FinFET архитектура, а нова структура състояща се от четири нано листа, която позволява поместването на приблизително 30 милиарда транзистора в чип с размерите на човешки нокът и предоставяйки значително по-голяма мощност и производителност.

Измислен през 70-те години на миналия век, Законът на Мур гласи, че броят на транзисторите в един чип ще се удвоява на всеки две години. Тази насока се е запазила оттогава, но времето за удвояване на транзисторите се е забавило малко през последните години. В масовата електроника, стандарт са 14 нанометровите чипове, но разработките на Intel и Samsung  започва въвеждането на 10-нанометрови чипове в устройствата от висок клас.

Хода на технологията не спира и през 2015 г. IBM представи прототип на 7-нанометров чип, разработен съвместно с GlobalFoundries и Samsung. Този прототип съдържа около 20 милиарда транзистора благодарение на нови техники и материали за производство и се очаква да бъдат на пазара през 2019 г.

Сега същата група компании представи следващото поколение с размер от само 5 нанометра и допълнителни 10 милиарда транзистора. Настоящите производствени техники е възможно да намалят размера до 5-нанометъра, но екипът разработва съвсем нова архитектура.

Полупроводниците се изработват с помощта на FinFET архитектурата от 2011 г. Както подсказва името, тези транзистори имат форма подобна на перка и три канала за пренос на ток заобиколени от изолационен слой. Но тази структура започва достига границите в които може да бъде смалена, като екипът на IBM казва, че смаляването на този вид транзистори няма да доведе до подобрение на тяхната производителност.

Вместо това, чиповете с дължина 5 нанометра се правят с помощта на натрупване на силициеви нано листове, които могат да изпращат сигнали през четири канала наведнъж, вместо три за FinFET. Те са създадени с помощта на технологията за литография Extreme Ultraviolet (EUV), който изписва модели върху силициев лист, използвайки много по-висока енергийна дължина на светлинната вълна, отколкото досегашните техники. Това позволява създаването на чипове с по-фини детайли и за разлика от съществуващите процеси за литография мощността и производителността на чиповете може да се променя по време на производството.


В сравнение с настоящите 10 нанометрови чипове, 5 нанометровите прототипи притежават 40% по-добра производителността с постоянна мощност и са със 75% по-малка консумация на енергия. Развитието на тази технология би довело до създаването на по-малки, по-мощни и по-ефективни устройства, но тепърва на пазара навлизат 10-нанометровите чипове, а през 2019 г. ще започне въвеждането на 7-нанометрови, като 5 нанометровите чипове вероятно ще са на пазара след около четири години.

Тагове:  IBMKSamsungGlobalFoundries

Във връзка с решение на Европейския съд в Люксембург, ви уведомяваме, че авторът на коментара под тази статия носи съдебна отговорност за послания, които са нецензурни, насаждат омраза, призовават към насилие или са клеветнически. При съгласието Ви, ние ще създадем бисквитка на компютърът ви,
която ще бъде запазена следващите 7 дни.